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KASSEM ALI

9h00

Soutenance de thèse de ALI KASSEM

Épitaxie Sélective de GaN sur h-BN 2D pour la fabrication de résonateurs MEMS sur substrats flexibles

Selective GaN Growth on 2D h-BN for MEMS Resonators Fabrication on Flexible Substrates

Jury

Examinateur_FENDLER_Manuel_CEA
CoDirecteur de these_SALVESTRINI_Jean-Paul_ Georgia Tech Lorraine
Rapporteur_FAUCHER_Marc_Université de Lille
Rapporteur_DEBEDA_Hélène_Université de Bordeaux
Directeur de these_LEICHLE_Thierry_Georgia Tech-CNRS
Examinateur_EL MAZRIA_Omar_Université de Lorraine
Examinateur_SAMA_Nossikpendou Yves _STMicroelectronics

école doctorale

C2MP - CHIMIE MECANIQUE MATERIAUX PHYSIQUE

Laboratoire

Georgia Tech-Lorraine

Mention de diplôme

Sciences des Matériaux
Green/Blue/Pink Room Georgia Tech Europe 2 Rue Marconi 57070 Metz France
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Mots clés

Épitaxie Sélective,Épitaxie quasi-Van der Waals,Les semi-conducteurs III-N,Substrats flexibles,Nitrure de bore hexagonal 2D,Résonateurs MEMS

Résumé de la thèse

Poussée par la demande croissante pour l'électronique flexible, cette thèse s'intéresse à l'intégration de résonateurs MEMS sur des substrats flexibles afin d'améliorer la fonctionnalité, l'interaction et l'adaptabilité des dispositifs dans des environnements variés, y compris dynamiques et contraints.

Keywords

Selective Area Growth,quasi-Van der Waals epitaxy,III-Nitrides Semiconductors,Flexible substrates,2D hexagonal-Boron Nitride,MEMS Resonators

Abstract

Driven by the growing demand for flexible electronics, this thesis investigates the integration of MEMS resonators onto flexible substrates to enhance device functionality, interaction, and adaptability in various, including dynamic and constrained, environments.
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