Nitrure de Bore epitaxie sur epigraphene pour l'electronique
Boron nitride epitaxy on epigraphene for electronics
Jury
Directeur de these_OUGAZZADEN_Abdallah_Georgia Tech Lorraine
Rapporteur_TCHERNYCHEVA_Maria_Université de Paris-Saclay
Rapporteur_CASSABOIS_Guillaume_Université de Montpellier
Examinateur_MONTEMEZZANI_Germano_Université de Lorraine
Examinateur_HYOT_Bérangère_CEA de Grenoble
Examinateur_BRAULT_Julien_Université Côte d'Azur
CoDirecteur de these_SUNDARAM_Suresh_Georgia Tech Europe
école doctorale
C2MP - CHIMIE MECANIQUE MATERIAUX PHYSIQUE
Laboratoire
Georgia Tech-Lorraine
Mention de diplôme
Physique
Pink room
Georgia Tech Europe
2 Rue Marconi
57070 Metz, France
Mots clés
Nitrure de Bore,epitaxie,l'electronique,,
Résumé de la thèse
Au cours des dernières années, l'importance de nanoélectronique a augmenté avec la demande pour des dispositifs plus petits et plus efficaces. Les technologies traditionnelles basées sur le silicium rencontrent des défis, notamment pour la réduction de la taille des transistors tout en maintenant leur performance. Les longueurs de canal plus courtes améliorent la vitesse et la densité des dispositifs, mais entraînent des problèmes tels que l'électromigration, les fuites et la charge thermique.
Keywords
Boron nitride,epitaxy,electronics,epigraphene,
Abstract
In this century, the importance of nanoelectronics has grown with the demand for smaller, more efficient devices. Traditional silicon-based technologies face challenges, particularly in scaling down transistors while maintaining performance. Shorter channel lengths improve speed and device density but lead to issues like electromigration, leakage, and thermal load. Graphene, a two-dimensional material, offers a solution due to its high carrier mobility, thermal conductivity, and stability, making it a promising alternative to silicon.
