BERRAMDANE MOHAMMED RIADH

18/05

14h00

Soutenance de thèse de MOHAMMED RIADH BERRAMDANE

Exploration et mise en œuvre de modèles paramétriques prédictifs de type ARX pour l'estimation en temps réel de la température en électronique de puissance

Exploration and implementation of ARX-type predictive parametric models for real-time temperature estimation in power electronics

Jury

Directeur de these_REMY_Benjamin_Université de Lorraine
Rapporteur_BUTTAY_Cyril _Laboratoire Ampère, CNRS UMR 5005
Rapporteur_QUEMENER_Olivier _Université d'Evry
Examinateur_ALLANIC_Nadine _Nantes Université, iut de Nantes - laboratoire GEPEA
CoDirecteur de these_URBAIN_Matthieu _Université de Lorraine
Co-encadrant de these_BLET_Nicolas _Université de Lorraine
Co-encadrant de these_BATTISTON_Alexandre_IFP Energies nouvelles
Examinateur_IDIR_Nadir_Université de Lille

école doctorale

SIMPPÉ - SCIENCES ET INGENIERIES DES MOLECULES, DES PRODUITS, DES PROCEDES ET DE L'ÉNERGIE

Laboratoire

LEMTA – Laboratoire Energies & Mécanique Théorique et Appliquée

Mention de diplôme

Énergie et Mécanique

Amphithéâtre SE 52 IFP Energies Nouvelles: 1-4 Av. du Bois Préau, 92852 Rueil-Malmaison

Mots clés

Modélisation thermique,Modèle autorégressif à entrées exogènes (ARX),Température de jonction,Réseaux RC,Electronique de puissance,Modélisation informée par les capteurs

Résumé de la thèse

La gestion thermique constitue aujourd'hui un enjeu majeur dans les systèmes d'électronique de puissance, notamment avec l'augmentation des densités de puissance et l'introduction des semi-conducteurs à large bande interdite (WBG). Dans ces dispositifs, la température de jonction représente une variable critique pour la fiabilité et les performances. Toutefois, cette température reste difficilement accessible expérimentalement en raison de l'encapsulation des composants et des contraintes d'intégration.

Keywords

Thermal modeling,AutoRegressive model with eXogenous inputs (ARX),Junction temperature,RC Networks,Power electronics,Sensor informed modeling

Abstract

Thermal management has become a major challenge in modern power electronics systems, particularly with the increase in power density and the introduction of wide bandgap (WBG) semiconductors. In these devices, junction temperature is a critical variable that directly affects reliability and performance. However, this temperature is difficult to measure experimentally due to device encapsulation and integration constraints.

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